Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

FJV1845PMTF

0.05A, 120V, NPN

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV1845

FJV1845PMTF Hakkında

FJV1845PMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 120V Vce breakdown voltajı ve 50mA maksimum kollektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 200 minimum DC current gain (hFE) değeri ile sinyal amplifikasyonu sağlar. 110MHz transition frequency ile orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. 300mW maksimum güç tüketimi ile düşük enerji tüketimi gerektiren taşınabilir cihazlar, ses amplifikatörleri ve anahtarlama devrelerine uygundur. 150°C maksimum işletme sıcaklığında stabil çalışır. Kompakt SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition 110MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok