Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

FJV1845EMTF

TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV1845EM

FJV1845EMTF Hakkında

FJV1845EMTF, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük sinyal uygulamalarında kullanılan küçük bir anahtarlama ve amplifikasyon elemanıdır. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 120V Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 50mA Ic akımı ile çalışabilmektedir. 110MHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalara uygun olan FJV1845EMTF, 400 (min) DC current gain değeri sayesinde zayıf sinyalleri güçlendirebilir. Maksimum 300mW güç tüketimi ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile genel amaçlı sinyal işleme, anahtarlama devreleri, RF amplifikatörleri ve sensör uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Yaşlı teknoloji olarak listelenmiş olup, yeni tasarımlar için yerini almış modeller bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 400 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition 110MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok