Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
FJV1845EMTF
0.05A, 120V, NPN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- FJV1845E
FJV1845EMTF Hakkında
FJV1845EMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 120V kolektör-emitter breakdown voltajı, 50mA maksimum kolektör akımı ve 300mW güç derecelendirmesi ile genel amaçlı küçük sinyal uygulamalarında kullanılır. 110MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. DC current gain değeri 1mA'de minimum 400'dür. Vce saturation voltajı düşük olup (300mV @ 1mA, 10mA), amplifikasyon ve dijital lojik devrelerinde anahtarlama elemanı olarak uygulanabilir. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 400 @ 1mA, 6V |
| Frequency - Transition | 110MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok