Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJNS3212RBU
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
FJNS3212RBU Hakkında
FJNS3212RBU, onsemi tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-92-3 Short Body paketinde sunulan bu komponent, 300mW maksimum güç kapasitesine sahiptir. 47 kOhms dahili baz direnci ve 100 mA maksimum kolektör akımı ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılmaktadır. 250 MHz geçiş frekansı ve 40V VCEO (kolektör-emitter kırılım gerilimi) ile RF ve hızlı anahtarlama devrelerde yer alabilir. Vce doyum gerilimi maksimum 300mV olup, ön beslemeli yapısı sayesinde basit arayüz devrelerinde, sensör okuma devrelerinde ve mantık seviyesi komutlamada tercih edilir. Dahili biyaslandırma direnci nedeniyle harici biyaslama ağı gereksizdir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92S |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok