Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJNS3207RBU
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
FJNS3207RBU Hakkında
FJNS3207RBU, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistörüdür. TO-92S (TO-226-3) paketinde sunulan bu transistör, 300mW maksimum güç tüketimiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 250 MHz transition frequency ile orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerine uygundur. Entegre edilen 22kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleri ile ön yükleme sağlanır, bu sayede harici biyaslandırma devrelerine ihtiyaç duyulmaz. 100mA maksimum collector akımı ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı transistor uygulamalarında tercih edilir. Düşük collector cutoff akımı (100nA) ile kapalı durumdaki kaçak akım minimaldır. Sayısal lojik arabirimleri, sinyal anahtarlama devreleri ve küçük güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. (Ürün şu anda üretilmemektedir.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92S |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok