Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJN3315RBU
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
FJN3315RBU Hakkında
FJN3315RBU, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar jonksiyon transistörüdür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleri ile birlikte gelir (R1: 2.2kΩ, R2: 10kΩ). Maksimum 300mW güç tüketimi ve 100mA kolektör akımı kapasitesi ile düşük sinyalli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 250MHz transistion frequency'si ve 33 minimum DC current gain (hFE) özellikleri ile hızlı sinyal işleme gerektiren devreler, ses amplifikatörleri, lojik seviyeleme ve sensor arayüzü uygulamalarında yer alabilir. 50V VCE(BR)O dağılım gerilimi ile koruma sınırlarını belirler. Ön beslemeli tasarım sayesinde harici bias ağı ihtiyacını azaltır. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok