Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJN3313RTA
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
FJN3313RTA Hakkında
FJN3313RTA, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 300mW güç tüketiminde çalışabilir. Transistör, dahili olarak 2.2kΩ taban direnci ve 47kΩ emiter-taban direnci içerir, bu sayede harici biasing ağı tasarımı basitleştirilmiştir. 100mA maksimum kolektör akımı ve 250MHz transition frekansı ile küçük-sinyal anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 50V maksimum VCEO ile ve 300mV satürasyon gerilimi ile tasarlanmıştır. Ön beslemeli transistörler, lojik devreler, darbe sayıcıları ve kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok