Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJN3312RTA

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
FJN3312R

FJN3312RTA Hakkında

FJN3312RTA, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, 300mW güç kapasitesi ile düşük güçlü uygulamalarda kullanılır. 100mA maksimum kolektör akımı ve 250MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. İntegre 47kΩ baz direnci sayesinde harici ön beslemeli tasarımda ideal bir seçimdir. Ses amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri ve düşük seviye anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 40V C-E kırılma voltajı ve 100 minimum hFE (1mA, 5V'ta) performans gösterir. Uygun maliyet ve kompakt tasarımı ile gömülü sistem tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 300 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok