Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJN3310RBU

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
FJN3310

FJN3310RBU Hakkında

FJN3310RBU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) küçük sinyal bipolar transistörüdür. TO-92-3 DIP paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100 mA kolektör akımı ve 300 mW güç tüketimi ile çalışabilmektedir. 250 MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 10 kΩ entegre baz direnci ile birlikte hazır hale getirilmiştir. Kolektör-emiter açılma voltajı 40 V'tur. Dahili sönümleme direncinin bulunması nedeniyle direkt sürücü ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Sinyal işleme, ses frekansı amplifikasyonu ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak yer almıştır. Parça ürretimi durdurulmuş (obsolete) olup yedeğe alınması gereken bileşenlerdendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Obsolete
Power - Max 300 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok