Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJN3306RTA

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
FJN3306

FJN3306RTA Hakkında

FJN3306RTA, onsemi tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-92-3 (TO-226AA) paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz ve emitter dirençleri ile birlikte gelir. 300mW güç kapasitesi, 100mA maksimum kollektör akımı ve 250MHz geçiş frekansı özelliklerine sahiptir. Vce doyum gerilimi 300mV (500µA baz akımında, 10mA kollektör akımında) ve 50V kollektör-emitter arasında kırılma gerilimi ile karakterize edilir. Entegre 10kΩ baz direnci (R1) ve 47kΩ emitter-baz direnci (R2) sayesinde harici biyaslandırma gereksinimini azaltır. Düşük sinyalli anahtarlama uygulamaları, lojik seviyeleri sürüş devreleri, darbe oluşturma ve gürültü toleranslı anahtarlama devreleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 300 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok