Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJN3302RTA
TRANS PREBIAS NPN 0.3W TO92-3
FJN3302RTA Hakkında
FJN3302RTA, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistörüdür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, 300mW güç tüketimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. İçerisinde entegre 10kΩ base ve emitter-base direnç ağına sahip olup, 250MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılır. 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 30 (minimum) DC akım amplifikasyonu özelliği bulunan bu transistör, anahtar ve sinyal işleme devrelerinde yer alır. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici bias ağına ihtiyaç duymaz ve basitleştirilmiş devre tasarımı sağlar. Bileşen mevcut durumda üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, veri sayfasında detaylı uygulama bilgilerine ve referans tasarımlarına erişilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok