Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
FJN3301RTA
TRANS NPN 50V 0.1A TO-92
FJN3301RTA Hakkında
FJN3301RTA, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, 50V collector-emitter breakdown voltajına ve 100mA maksimum collector akımına sahiptir. Maksimum 300mW güç tüketimine sahip olan transistör, 250MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilir. 10mA collector akımında 20 minimum DC current gain (hFE) değeri bulunmaktadır. Düşük collector cutoff akımı (100nA) ve 300mV saturation voltajı ile düşük power consumption gerektiren devrelerde tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenir. Genel sinyal amplifikasyon, switching ve darbe işleme devrelerinde uygulanabilir. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok