Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
FJB5555TM
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A, NP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Seri / Aile Numarası
- FJB5555
FJB5555TM Hakkında
FJB5555TM, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi power bipolar transistördür. Surface Mount D²Pak (TO-263) pakette sunulan bu transistör, maksimum 5A collector akımı ve 400V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. 1.6W güç kapasitesine sahip olan bileşen, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına dayanır. DC current gain değeri 800mA, 3V koşullarında minimum 20'dir. Vce saturation voltajı 1A, 3.5A koşullarında maksimum 1.5V'dir. Anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devreleri ve güç kontrol sistemlerinde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 800mA, 3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.6 W |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1A, 3.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok