Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

FJB3307DTM

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 40

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FJB3307

FJB3307DTM Hakkında

FJB3307DTM, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde güç transistörüdür. Maksimum 8A kolektör akımı ile çalışabilen bu bileşen, 400V breakdown voltajı ve 1.72W maksimum güç yeteneği ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Surface Mount paketlemesi (D²Pak/TO-263-3) sayesinde kompakt tasarımlara uyum sağlar. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığına dayanabilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, invertörler ve DC/DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 5A ve 5V koşullarında minimum 5 DC current gain değerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 5 @ 5A, 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power - Max 1.72 W
Supplier Device Package D²PAK
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 2A, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok