Transistörler - IGBT - Tekil
FGY75T95SQDT
IGBT 950V 75A
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGY75T95SQDT
FGY75T95SQDT Hakkında
FGY75T95SQDT, onsemi tarafından üretilen 950V/75A yüksek voltaj IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 434W maksimum güçte çalışabilir ve -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, güç çevirici sistemleri, hızlı anahtarlamalı uygulamalar, motor sürücüleri ve endüstriyel güç elektronikleri gibi alanlarda kullanılır. 137nC gate charge ve 8.8mJ açılış, 3.2mJ kapanış switching enerjisi ile verimli çalışma sağlar. Collector-Emitter doyum gerilimi 2.11V (@15V, 75A) ve 259ns reverse recovery time karakteristikleri ile yüksek hızlı switching işlemlerine uygun tasarlanmıştır. Ürün üretimi durdurulmuş olup, stok tükenene kadar tedarik edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Gate Charge | 137 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 434 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 259 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 8.8mJ (on), 3.2mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 28.8ns/117ns |
| Test Condition | 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.11V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 950 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok