Transistörler - IGBT - Tekil
FGY75T120SQDN
IGBT 1200V 75A UFS
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3 Variant
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGY75T120SQDN
FGY75T120SQDN Hakkında
FGY75T120SQDN, onsemi tarafından üretilen 1200V 75A kapasiteli Field Stop tipi IGBT transistörüdür. TO-247-3 through-hole paketlemesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevi üstlenir. Maksimum collector akımı 150A, pulse akımı ise 300A'e ulaşmaktadır. Kolektör-emiter doyum voltajı (Vce(on)) 1.95V olup, çıkış enerji kaybı 1.96mJ seviyesindedir. -55°C ile +175°C arasında güvenli çalışma sağlayan bu IGBT, endüstriyel invertörler, motor kontrol devreleri, kaynak makinaları ve enerji dönüştürücülerine uygulanmaktadır. 399nC gate yükü ve 99ns geri iyileşme süresi ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Gate Charge | 399 nC |
| IGBT Type | Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 790 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 99 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 6.25mJ (on), 1.96mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 64ns/332ns |
| Test Condition | 600V, 75A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok