Transistörler - IGBT - Tekil
FGY75N60SMD
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3 Variant
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGY75N60SMD
FGY75N60SMD Hakkında
FGY75N60SMD, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 kılıfında sunulan bu komponent, maksimum 150A sürekli kolektör akımı (pulse modunda 225A) kapasitesiyle tasarlanmıştır. 750W maksimum güç disipasyonuna sahip olan cihaz, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 2.5V Vce(on) değeri ve düşük switching energy özellikleri (2.3mJ açılış, 770µJ kapanış) ile enerji verimliliği sunar. 55ns reverse recovery time ve 248nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225 A |
| Gate Charge | 248 nC |
| IGBT Type | Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 750 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55 ns |
| Supplier Device Package | PowerTO-247-3 |
| Switching Energy | 2.3mJ (on), 770µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 24ns/136ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok