Transistörler - IGBT - Tekil

FGY60T120SQDN

IGBT 1200V 60A UFS

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-247-3 Variant
Seri / Aile Numarası
FGY60T120SQDN

FGY60T120SQDN Hakkında

FGY60T120SQDN, onsemi tarafından üretilen 1200V yüksek voltaj IGBT transistörüdür. 120A maksimum collector akımı ile çalışmak üzere tasarlanmış olup, 240A pulse akıma kadar desteklemektedir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, elektrik motor sürücülerinde, UPS sistemlerinde ve kaynak makinelerinde kullanılmaktadır. 1.95V VCE(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 517W maksimum güç yeteneği ve 52ns/296ns hızlı anahtarlama süresi sayesinde etkili enerji yönetimi mümkündür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 120 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 240 A
Gate Charge 311 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3 Variant
Part Status Active
Power - Max 517 W
Supplier Device Package TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C 52ns/296ns
Test Condition 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok