Transistörler - IGBT - Tekil
FGP30N6S2D
IGBT 600V 45A 167W TO220AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGP30N6S2
FGP30N6S2D Hakkında
FGP30N6S2D, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 45A sürekli kolektör akımı ve 108A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 167W güç seviyesinde çalışabilen transistör, -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 23nC gate charge ve 6ns/40ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. Vce(on) maksimum değeri 2.5V @ 15V, 12A olup 55µJ on ve 100µJ off switching energy değerlerine sahiptir. Bileşen üretim durdurulmuş (Obsolete) olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 108 A |
| Gate Charge | 23 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 167 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 46 ns |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Switching Energy | 55µJ (on), 100µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 6ns/40ns |
| Test Condition | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok