Transistörler - IGBT - Tekil
FGL60N100BNTDTU
IGBT 1000V 60A 180W TO264
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-264-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGL60N100BNT
FGL60N100BNTDTU Hakkında
FGL60N100BNTDTU, onsemi tarafından üretilen 1000V 60A kapasiteli NPT ve Trench teknolojisi IGBT transistörüdür. TO-264-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 180W güç dağıtabilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 60A akımda 2.9V olup, 275nC gate charge'a sahiptir. Reverse recovery time 1.2µs ile anahtarlama hızı belirlenmiş, açılış/kapanış gecikmesi 25°C'de sırasıyla 140ns/630ns'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu IGBT, darbe akımında 120A'e kadar yükselebilir. Yüksek voltajlı güç dönüştürme, motor kontrol ve endüstriyel inverter uygulamalarında kullanılır. Not: Bu komponent yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 275 nC |
| IGBT Type | NPT and Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 180 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.2 µs |
| Supplier Device Package | TO-264-3 |
| Td (on/off) @ 25°C | 140ns/630ns |
| Test Condition | 600V, 60A, 51Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok