Transistörler - IGBT - Tekil

FGL60N100BNTD

IGBT 1000V 60A 180W TO264

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-264-3
Seri / Aile Numarası
FGL60N100BNTD

FGL60N100BNTD Hakkında

FGL60N100BNTD, onsemi tarafından üretilen 1000V yüksek voltaj IGBT transistörüdür. TO-264-3 paketinde sunulan bu bileşen, 60A kollektör akımı ve 180W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. NPT ve Trench teknolojisini birleştiren bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, motor kontrollerinde ve UPS sistemlerinde kullanılır. 1000V breakdown voltajı sayesinde endüstriyel ve tıbbi ekipmanlar gibi yüksek voltaj gerektiren uygulamalara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 275nC gate charge ve 140ns açılış/630ns kapanış süreleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 60 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120 A
Gate Charge 275 nC
IGBT Type NPT and Trench
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Part Status Obsolete
Power - Max 180 W
Reverse Recovery Time (trr) 1.2 µs
Supplier Device Package TO-264-3
Td (on/off) @ 25°C 140ns/630ns
Test Condition 600V, 60A, 51Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok