Transistörler - IGBT - Tekil
FGH50N6S2D
IGBT 600V 75A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGH50N6S2D
FGH50N6S2D Hakkında
FGH50N6S2D, onsemi tarafından üretilen 600V/75A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 75A DC collector akımı ve 240A pulse akımı ile güç elektronikleri devrelerinde etkili çalışır. Gate charge değeri 70 nC olup, switching energy değerleri on için 260µJ, off için 250µJ'dir. Vce(on) maksimum 2.7V @ 15V, 30A koşullarında ölçülmüştür. Ürün -55°C ile 150°C arasında çalışmak üzere tasarlanmış olup, maksimum 463W güç dağıtabilir. Reverse recovery time 55ns, delay time on/off ise 13ns/55ns'dir. Bu IGBT, şu an üretimden kaldırılmış (Obsolete) ancak mevcut stokların kullanılması mümkündür. AC/DC konverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Gate Charge | 70 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 463 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 260µJ (on), 250µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/55ns |
| Test Condition | 390V, 30A, 3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok