Transistörler - IGBT - Tekil
FGH50N3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGH50N3
FGH50N3 Hakkında
FGH50N3, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bir güç elektronik anahtarlama elemanıdır. 75A maksimum collector akımı ve 300V breakdown voltajı ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu IGBT, 463W maksimum güç dağıtımı kapabiliyetine sahiptir. PT tipi işletim yapısı ile tasarlanmış olup, 180nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar. On/off geçiş süreleri sırasıyla 20ns/135ns olup, enerji kayıpları 130µJ (açılış) ve 92µJ (kapanış) seviyesindedir. -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel invertör, motor sürücü, güç kaynağı ve kaynak makineleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Gate Charge | 180 nC |
| IGBT Type | PT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 463 W |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | 130µJ (on), 92µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/135ns |
| Test Condition | 180V, 30A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.4V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok