Transistörler - IGBT - Tekil
FGH40T120SMD
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGH40T120
FGH40T120SMD Hakkında
FGH40T120SMD, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 80A sürekli kolektör akımı ve 160A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, güç elektronik uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. 555W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile inverter, motorlar, UPS sistemleri ve endüstriyel güç dönüştürme devrelerinde kullanılır. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C arasında değişmektedir. Düşük geçiş kaybı (Vce(on): 2.4V @ 40A) ve hızlı anahtarlama karakteristiği (Td on/off: 40ns/475ns) ile enerji verimliliği sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 370 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 555 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 65 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/475ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok