Transistörler - IGBT - Tekil

FGH40N60UFTU

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
FGH40N60UFTU

FGH40N60UFTU Hakkında

FGH40N60UFTU, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 80A collector akımı ve 120A pulse akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paket tipi ile montajlanır.

Kollektör-Emitter gerilimi 2.4V @ 15V gate gerilimi ve 40A akımda belirlenir. 290W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, enerji gücü cihazları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate yükü 120nC ile düşük kapasitif yükü sağlar ve açma süresi 24ns, kapanma süresi 112ns'dir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120 A
Gate Charge 120 nC
IGBT Type Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 290 W
Supplier Device Package TO-247
Switching Energy 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 24ns/112ns
Test Condition 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok