Transistörler - IGBT - Tekil

FGH30T65UPDT_F155

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
FGH30T65UPDT

FGH30T65UPDT_F155 Hakkında

FGH30T65UPDT_F155, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. 60A maksimum collector akımı ve 90A pulse akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 2.3V düşük on-state voltajı ve 155nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Switching energy değerleri sırasıyla on için 760µJ, off için 400µJ'dır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilen komponent, invertörler, motor kontrolleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 60 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 90 A
Gate Charge 155 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 250 W
Reverse Recovery Time (trr) 33 ns
Supplier Device Package TO-247-3
Switching Energy 760µJ (on), 400µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 22ns/139ns
Test Condition 400V, 30A, 8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok