Transistörler - IGBT - Tekil
FGH30N60LSDTU
IGBT 600V 60A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGH30N60LSD
FGH30N60LSDTU Hakkında
FGH30N60LSDTU, onsemi tarafından üretilen 600V 60A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 480W maksimum güç kapasitesiyle, endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, invertör devreleri ve kaynak makineleri gibi ağır yük uygulamalarında tercih edilir. 225nC gate charge ve 18ns açılış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, farklı ortam koşullarında güvenilir işletme imkanı verir. Vce(on) değeri 1.4V ile düşük iletim kaybı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 225 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 480 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 1.1mJ (on), 21mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/250ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.4V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok