Transistörler - IGBT - Tekil
FGH20N6S2D
IGBT 600V 28A 125W TO247
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGH20N6S2D
FGH20N6S2D Hakkında
FGH20N6S2D, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 28A sürekli kolektör akımı ve 40A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 125W güç yayılımı ile çalışabilen komponent, -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 2.7V Vce(on) karakteristiği ve 30nC gate charge değeri ile düşük konversiyon kayıpları sağlar. Hızlı anahtarlama özellikleri (on: 7.7ns, off: 87ns) sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda tercih edilir. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, kaynak makineleri ve güç elektronik devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanım için uygundur. Bileşen üretilmeyip piyasada bulunmamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 28 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 30 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 125 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 25µJ (on), 58µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 7.7ns/87ns |
| Test Condition | 390V, 7A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok