Transistörler - IGBT - Tekil

FGD5T120SH

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FGD5T120SH

FGD5T120SH Hakkında

FGD5T120SH, onsemi tarafından üretilen 1200V/5A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10A maksimum kolektör akımı ve 69W maksimum güç derecelendirmesi ile endüstriyel kontrol, güç kaynakları ve motor sürücü devreleri gibi uygulamalara uygundur. 4.8ns açılış ve 24.8ns kapanış zamanı ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 6.7nC gate charge değerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 10 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 12.5 A
Gate Charge 6.7 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 69 W
Supplier Device Package TO-252AA
Switching Energy 247µJ (on), 94µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 4.8ns/24.8ns
Test Condition 600V, 5A, 30Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok