Transistörler - IGBT - Tekil
FGD3N60UNDF
IGBT 600V 6A 60W DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGD3N60UNDF
FGD3N60UNDF Hakkında
FGD3N60UNDF, onsemi tarafından üretilen 600V/6A NPT tipi IGBT transistörüdür. TO-252 (DPak) SMD paketi ile sunulan bu komponent, maksimum 60W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. 1.6nC gate charge ve 52µJ on-state, 30µJ off-state switching energy özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 21ns reverse recovery time ile düşük ters kurtarma kaybına ve 2.52V (15V, 3A) VCE(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu IGBT, güç kaynakları, inverterler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9 A |
| Gate Charge | 1.6 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 60 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 21 ns |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Switching Energy | 52µJ (on), 30µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 5.5ns/22ns |
| Test Condition | 400V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.52V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok