Transistörler - IGBT - Tekil
FGD3N60LSDTM-T-FS
IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGD3N60LSD
FGD3N60LSDTM-T-FS Hakkında
FGD3N60LSDTM-T-FS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. 6A sürekli collector akımı ve 25A maksimum pulsed akım kapasitesine sahiptir. 40W maksimum güç harcaması ile inverter, motor kontrol, anahtarlama cihazları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-252 DPak yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar gerçekleştirilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 25 A |
| Gate Charge | 12.5 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 40 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 234 ns |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Switching Energy | 250µJ (on), 1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/600ns |
| Test Condition | 480V, 3A, 470Ohm, 10V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 10V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok