Transistörler - IGBT - Tekil
FGD3N60LSDTM-T
INTEGRATED CIRCUIT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGD3N60LSDTM
FGD3N60LSDTM-T Hakkında
FGD3N60LSDTM-T, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 6A maksimum collector akımı ve 25A pulsed akım kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 40W maksimum güç dağıtım kapasitesine ve 1.5V Vce(on) değerine sahiptir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetim devrelerinde ve motor kontrolü sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 234ns reverse recovery time ve hızlı td(on/off) karakteristikleriyle, yüksek frekanslı anahtarlama devrelerine uygundur. Ürün şu anda obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 25 A |
| Gate Charge | 12.5 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 40 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 234 ns |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Switching Energy | 250µJ (on), 1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/600ns |
| Test Condition | 480V, 3A, 470Ohm, 10V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 10V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok