Transistörler - IGBT - Tekil
FGD3N60LSDTM
IGBT 600V 6A 40W DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGD3N60LSD
FGD3N60LSDTM Hakkında
FGD3N60LSDTM, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. Maksimum 6A collector akımı ve 40W güç dağıtma kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 25A pulse akımı kabiliyeti ve 12.5 nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 234 ns reverse recovery time ve 250µJ (açılış), 1mJ (kapanış) switching energy özellikleriyle güç elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. Motor sürücüleri, UPS sistemleri, endüstriyel invertörler ve AC/DC güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. 1.5V Vce(on) değeriyle düşük açılış kaybı sağlar. Aktif ürün statüsü ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 25 A |
| Gate Charge | 12.5 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 40 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 234 ns |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Switching Energy | 250µJ (on), 1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/600ns |
| Test Condition | 480V, 3A, 470Ohm, 10V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 10V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok