Transistörler - IGBT - Tekil

FGD3050G2

IGBT 500V 27A DPAK-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FGD3050G2

FGD3050G2 Hakkında

FGD3050G2, onsemi tarafından üretilen 500V breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. 32A maksimum collector akımı ve 150W güç kapasitesi ile tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 6A'de 1.2V olarak belirtilmiştir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile gelen bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışır. 22nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Endüstriyel sürücü devreler, elektrik motor kontrolü, DC/DC konverterler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 32 A
Gate Charge 22 nC
Input Type Logic
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 150 W
Supplier Device Package D-PAK (TO-252)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.2V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok