Transistörler - IGBT - Tekil
FGD3040G2_SN00297
INTEGRATED CIRCUIT
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGD3040G2
FGD3040G2_SN00297 Hakkında
FGD3040G2_SN00297, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-252-3 DPak yüzey montajı paketidir. 41 A maksimum collector akımı, 400 V collector-emitter gerilimi ve 150 W maksimum güç desteği ile tasarlanmıştır. 1.25 V maksimum Vce(on) değeri ve 4.8 µs kapalı geçiş süresi özellikleri vardır. 21 nC gate charge ile lojik seviyesi kontrol edilen bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, motor sürücülerinde, invertör devrelerinde ve güç elektronik sistemlerinde kullanılır. Ürün obsolete (üretim durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 41 A |
| Gate Charge | 21 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 W |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Td (on/off) @ 25°C | -/4.8µs |
| Test Condition | 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.25V @ 4V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok