Transistörler - IGBT - Tekil

FGD3040G2

IGBT 400V 41A 150W DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FGD3040G2

FGD3040G2 Hakkında

FGD3040G2, Rochester Electronics tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-252-3 (DPak) paket içinde sunulan bu komponent, 400V collector-emitter breakdown voltajında 41A maksimum collector akımını destekler. 150W maksimum güç disipasyon kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 21 nC olup, açılış/kapanış geçiş süresi (Td) 4.8µs'dir. Vce(on) değeri 6A akım ve 4V gate voltajında 1.25V olarak belirtilmiştir. Logic input türü ile çalışan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve benzer uygulamalarda kullanılır. Surface mount kurulum türü sayesinde modern PCB tasarımlarına uygun montaj sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 41 A
Gate Charge 21 nC
Input Type Logic
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 150 W
Supplier Device Package TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C -/4.8µs
Test Condition 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.25V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok