Transistörler - IGBT - Tekil

FGD2N40L

IGBT 400V 7A 29W DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FGD2N40L

FGD2N40L Hakkında

FGD2N40L, onsemi tarafından üretilen 400V Collector-Emitter diyot gerilimli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 7A sürekli collector akımı ve 29A puls collector akımına kadir olup, 29W maksimum güç tüketimi ile çalışabilir. DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, 47ns açılış ve 650ns kapanış hızlarıyla anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel güç denetimi, motor sürücüleri, invertör devreleri ve değiştiriciler gibi anahtarlamalı güç uygulamalarında tercih edilir. Logic seviyesi giriş sinyalleri ile uyumlu olup, 11nC gate yükü ile düşük sürüş gücü gerektirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 7 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 29 A
Gate Charge 11 nC
Input Type Logic
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 29 W
Supplier Device Package TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C 47ns/650ns
Test Condition 300V, 2.5A, 51Ohm, 4V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 2.4V, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok