Transistörler - IGBT - Tekil
FGB7N60UNDF
IGBT NPT 600V 14A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGB7N60UNDF
FGB7N60UNDF Hakkında
FGB7N60UNDF, onsemi tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistörüdür. 600V kolektör-emiter bozulma gerilimi ve 14A maksimum kolektör akımı ile çalışır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 18 nC kapı yükü ve 99µJ açılış / 104µJ kapanış enerjisi özellikleriyle anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Komponentin Part Status Obsolete olduğu için yeni tasarımlarda alternatif ürünlerin incelenmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 21 A |
| Gate Charge | 18 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 83 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 32.3 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 99µJ (on), 104µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 5.9ns/32.3ns |
| Test Condition | 400V, 7A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok