Transistörler - IGBT - Tekil
FGB7N60UNDF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGB7N60UNDF
FGB7N60UNDF Hakkında
FGB7N60UNDF, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. NPT teknolojisi ile tasarlanan bu transistör, maksimum 14A collector akımı ve 21A pulsed akım kapasitesine sahiptir. TO-263 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulan komponent, 83W maksimum güç disipasyonu ile AC motor sürücüleri, güç kaynakları, inverterler ve indüktif yük anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Düşük gate charge (18nC) ve hızlı switching özellikleri (on: 5.9ns, off: 32.3ns) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 21 A |
| Gate Charge | 18 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 83 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 32.3 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 99µJ (on), 104µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 5.9ns/32.3ns |
| Test Condition | 400V, 7A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok