Transistörler - IGBT - Tekil
FGB40N6S2T
IGBT 600V 75A 290W TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGB40N6S2T
FGB40N6S2T Hakkında
FGB40N6S2T, onsemi tarafından üretilen 600V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. 75A maksimum collector akımı ve 290W güç dissipasyonu kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj pakajında sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, inverter devrelerde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 35nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlayarak enerji verimliliğini artırır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygun kılmaktadır. Şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 180 A |
| Gate Charge | 35 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 290 W |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 115µJ (on), 195µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 8ns/35ns |
| Test Condition | 390V, 20A, 3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok