Transistörler - IGBT - Tekil
FGB40N6S2T
N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGB40N6S2T
FGB40N6S2T Hakkında
FGB40N6S2T, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel IGBT transistörüdür. 600V collector-emitter kırılma gerilimi ve 75A maksimum collector akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 290W maksimum disipasyon gücü, 35nC gate charge ve düşük switching enerjisi (on için 115µJ, off için 195µJ) sayesinde verimli anahtarlama sağlar. TO-263 (D²Pak) Surface Mount pakajında sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. İnverter, konvertör, motor kontrol ve güç elektronik devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 20A akımda 2.7V ile sınırlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 180 A |
| Gate Charge | 35 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 290 W |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 115µJ (on), 195µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 8ns/35ns |
| Test Condition | 390V, 20A, 3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok