Transistörler - IGBT - Tekil
FGB40N6S2
N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGB40N6S2
FGB40N6S2 Hakkında
FGB40N6S2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V breakdown voltajı ve 75A maksimum collector akımı ile uygulamada yüksek güç anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. 290W maksimum güç hızlı anahtarlama hızı (8ns turn-on, 35ns turn-off) ile sağlamaktadır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketi ile PCB tasarımlarında alan tasarrufu sağlar. Endüstriyel sürücü devreler, UPS sistemleri, motor kontrol ve güç dönüştürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 180 A |
| Gate Charge | 35 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 290 W |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 115µJ (on), 195µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 8ns/35ns |
| Test Condition | 390V, 20A, 3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok