Transistörler - IGBT - Tekil
FGB40N60SM
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGB40N60SM
FGB40N60SM Hakkında
FGB40N60SM, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. Field Stop teknolojisine sahip bu bileşen, maksimum 80A sürekli collector akımı ile çalışabilir ve 120A'ye kadar pulse akım toleransına sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) kasa tipinde surface mount uygulamalara uygun olarak tasarlanmıştır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan komponent, 349W maksimum güç dağıtımı yapabilir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 40A collector akımında 2.3V olarak belirtilmiştir. 12ns açılış ve 92ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç elektronikleri uygulamaları, motor kontrol devreleri, inverter ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 119 nC |
| IGBT Type | Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 349 W |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 870µJ (on), 260µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/92ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok