Transistörler - IGBT - Tekil
FGB30N6S2DT
IGBT 600V 45A 167W TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGB30N6S2DT
FGB30N6S2DT Hakkında
FGB30N6S2DT, onsemi tarafından üretilen 600V sınıfı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 45A maksimum kollektör akımı ve 167W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. TO-263AB (D²PAK) SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek hız ve düşük kayıp karakteristiği sunar. 6ns açılış ve 40ns kapanış hızı ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrolörleri, DC-DC dönüştürücüler ve indüktif yük anahtarlamalarında kullanılan endüstriyel uygulamalara uygundur. Ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 108 A |
| Gate Charge | 23 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 167 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 46 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 55µJ (on), 100µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 6ns/40ns |
| Test Condition | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok