Transistörler - IGBT - Tekil
FGB30N6S2D
IGBT 600V 45A 167W TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGB30N6S2D
FGB30N6S2D Hakkında
FGB30N6S2D, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 45A DC collector akımı ve 108A pulse akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 167W güç kapasitesi ile inverter, motor kontrol, güç kaynakları ve switching uygulamalarında yer alır. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 6ns açılış ve 40ns kapanış süreleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 2.5V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 23nC gate charge ve 55µJ/100µJ switching energy özellikleri ile verimli anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 108 A |
| Gate Charge | 23 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 167 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 46 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 55µJ (on), 100µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 6ns/40ns |
| Test Condition | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok