Transistörler - IGBT - Tekil
FGB20N60SF
IGBT FIELD STOP 600V 40A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGB20N60SF
FGB20N60SF Hakkında
FGB20N60SF, onsemi tarafından üretilen Field Stop tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve 40A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 2.8V collector-emitter doyum voltajı (Vce(on)) ve 65nC gate charge değerleri kontrollü ve hızlı anahtarlama sağlar. 370µJ açılış ve 160µJ kapanış anahtarlama enerjisi ile enerji verimliliği sağlar. Maksimum 208W güç dağılımı kapasitesiyle invertör, motor sürücü, güç kaynağı ve DC-DC dönüştürücü gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Not: Bu ürün artık üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 65 nC |
| IGBT Type | Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 208 W |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 370µJ (on), 160µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/90ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok