Transistörler - IGBT - Tekil

FGA90N30TU

IGBT 300V 90A 219W TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FGA90N30TU

FGA90N30TU Hakkında

FGA90N30TU, onsemi tarafından üretilen 300V kollektör-emiter yıkılma gerilimi ile çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 90A maksimum kollektör akımı ve 219W güç kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-3P paketlemede sunulan bu bileşen, 87nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır. 1.4V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Pulsed koşullarda 220A'ye kadar destekler. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 90 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 220 A
Gate Charge 87 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power - Max 219 W
Supplier Device Package TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok