Transistörler - IGBT - Tekil

FGA70N30TDTU

IGBT 300V 201W TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FGA70N30TDTU

FGA70N30TDTU Hakkında

FGA70N30TDTU, onsemi tarafından üretilen 300V Trench IGBT transistördür. TO-3P pakette sunulan bu komponent, maksimum 201W güç yeteneği ile endüstriyel anahtarlama ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 160A puls kollektör akımı ve 1.5V @ 15V, 20A iletim gerilimi ile verimli çalışma sağlar. 125nC gate charge ve 21ns reverse recovery time özellikleri hızlı anahtarlama için uygundur. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ortamlara uyarlanmıştır. Elektrik kaynak cihazları, motor sürücüleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector Pulsed (Icm) 160 A
Gate Charge 125 nC
IGBT Type Trench
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power - Max 201 W
Reverse Recovery Time (trr) 21 ns
Supplier Device Package TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok