Transistörler - IGBT - Tekil
FGA6560WDF
IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGA6560WD
FGA6560WDF Hakkında
FGA6560WDF, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench Field Stop IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 120A sürekli collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, 306W maksimum güç yayılımına kapasitedir. Gate charge 84nC, switching energy ise on/off için sırasıyla 2.46mJ/520µJ'dir. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel sürücüler, motor kontrolü, solar inverterler ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 110ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 180 A |
| Gate Charge | 84 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 306 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 110 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Switching Energy | 2.46mJ (on), 520µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25.6ns/71ns |
| Test Condition | 400V, 60A, 6Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok