Transistörler - IGBT - Tekil

FGA6540WDF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FGA6540

FGA6540WDF Hakkında

FGA6540WDF, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. Maksimum 80A sürekli kollektör akımı ve 120A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 238W güç sınırlaması içinde çalışır. TO-3P-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında işletme sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 2.3V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Hızlı anahtarlama özelliği (16.8ns açılış, 54.4ns kapanış) ve 101ns ters kurtarma süresi ile endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, kaynak makineleri ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 55.5nC gate charge değeri, düşük enerji tüketimi gerektiren tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120 A
Gate Charge 55.5 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Active
Power - Max 238 W
Reverse Recovery Time (trr) 101 ns
Supplier Device Package TO-3PN
Switching Energy 1.37mJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 16.8ns/54.4ns
Test Condition 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok